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當前位置：首頁產品中心光電探測器Si硅光電二極管

  • 硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18

    硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm，適合于生物醫學和分析應用。 這種Si APD設計為雙擴散“穿透式”結構，可在400和1000 nm之間提供高響應度，以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。

    更新時間：2024-12-05
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  • 905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管，光譜響應范圍從可見光到近紅外，峰值響應波長905nm。大光敏面，高速響應，高增益，低噪聲。

    更新時間：2024-12-05
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  • 硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3)

    硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3) 硅雪崩光電二極管，光譜響應范圍從可見光到近紅外，峰值響應波長905nm。大光敏面，高速響應，高增益，低噪聲。

    更新時間：2024-12-05
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  • 2mm SI光電探測器 （二極管）

    2mm SI光電探測器 （二極管） 光纖通信、傳感、測距 可見光至近紅外領域的光探測 快速光脈沖檢測 各種工業控制系統。

    更新時間：2024-12-05
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  • 超快SI光電探測器,光敏面直徑0.2mm

    超快SI光電探測器,光敏面直徑0.2mm 器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

    更新時間：2024-12-05
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